您的位置：志趣»产品库 » 电子电工 » 集成电路

PL60N02D N沟道MOSFET场效应管

  • 发布时间：2023-11-15 15:50:19,加入时间:2023年08月01日(距今694天)
  • 地址:中国»广东»深圳:福田区华强北街道赛格广场2401A
  • 公司:深圳市百盛新纪元半导体有限公司,用户等级:普通会员 已认证
  • 联系：郑小姐,手机:13066856246 QQ:2851339680

概述

PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

联系我时请说明来自志趣网，谢谢!

免责申明：志趣网所展示的信息由用户自行提供，其真实性、合法性、准确性由信息发布人负责。使用本网站的所有用户须接受并遵守法律法规。志趣网不提供任何保证，并不承担任何法律责任。 志趣网建议您交易小心谨慎。