Lumentum APD 芯片是一种基于磷化铟 (InP) 的器件 设计用于高达 11.3 Gbps 的高性能电信接收器应用。 通过提供 30 μm 孔径的环形触点 通过中央有源区的顶部照明接收光信号。
P（阳极）和 N（阴极）触点在有源区上施加反向电偏压。 圆形 P 键合焊盘的直径为 70 微米 适用于引线键合。
APD 适用于以 M3 和 M10 之间的倍增增益因子以高达 11.3 Gbps 的速度运行。
性能通过包括 DC、CV 和 AC 测试测量的晶圆测试来检查。
<1FIT 的可靠性源自超过 400 亿个现场小时。
Telcordia ESD 等级：min. 500 V型号。
LUMENTUM芯片PA009211 LUMENTUM PA009211 性能特点
400 x 400 x 80 微米尺寸
顶部照明 30 μm 孔径
高带宽
响应能力好
2 pF 电容
顶部引线焊盘
针对环氧树脂附着进行了优化
-40 至 +85°C 操作
高达3 Gbps 的性能
非常高的可靠性
大批量生产
强大的 ESD 性能
LUMENTUM芯片PA009211 LUMENTUM PA009211 技术参数
击穿电压（在黑暗中 Id=10 µA）Vbr：-26…-32 V
暗电流（在黑暗中 Vbr * 0.9） Id9：50 毫安
3dB 带宽 M=10（10 µW 入射 1550 nm I=100 µA）BWM10 ：6.0 GHz
3dB 带宽 M=3（10 µW 入射 1550 nm I=30 µA）BWM3：6.0 GHz
响应度 （10 µW 1550 nm）R：1.0 A/W
在固定电压下（（VM3 和 VM10 Popt = 10µW λ=1550 nm）1610 nm 时的电流比
）R1610/R1550：0.75
1300 nm 与 1550 nm 的响应率比（在固定电压下（VM3 和 VM10 Popt =10 µW λ=1550 nm) 时的电流比）R1300/R1550：0.70
Vbr 温度系数（-40 至 +85°C）dVbr/dT：0.040 …0.061 Vdeg-1
总电容（At Vbr * 0.9）C：0.22…0.25 pF
光过载（M3）Povld：-2 dBm
