ABB 二极管5SDD 10F6000

  • 发布时间:2025-07-14 10:50:17,加入时间:2024年01月03日(距今558天)
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High Voltage Diode 

Key Parameters 

VRRM = 6 000 V 

IFAVm = 1 363 A 

IFSM = 17 500 A 

VTO = 1.015 V 

rT = 0.407 mΩ

Properties

·Low forward voltage drop 
·Low recovery charge 
·High operating temperature 
·Low leakage current 
Applications 

·Rectifier bridges

日立能源提供范围广泛的快速恢复二极管、标准恢复二极管和焊接二极管。 
设备特性:

·32 至 144 mm 晶圆
·175 A 至 13500 A
·200 伏至 8500 伏
·自由浮动、LTB 和合金化技术
典型二极管应用:

·驱动器
·中性点钳形二极管 (NPC)
·交流驱动器的输入整流器
·金属熔化和电解

ABB 二极管5SDD 10F6000

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