SAM可饱和吸收镜可作为超快激光器的锁模元件。基本过程是可饱和吸收体在激光腔内光线震荡的过程中不断吸收能量，从几乎0能量的空白状态达到满能量的“饱和”状态，达到饱和状态后，可饱和吸收镜不再有吸收光的能力，对激光呈现透明的特性，有些文章也把这个特性描述成强光状态下被漂白。可饱和吸收镜产生超短脉冲激光利用了半导体吸收的两个特征弛豫时间：带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间和带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间。在SAM锁模过程中，响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组，几ps~几百ps) 提供了锁模的自启动机制，而响应时间很短的带内热平衡(100~200fs)可以有效压缩脉宽、维持锁模。因此，可饱和吸收镜SESAM能够自动锁模产生皮秒或飞秒激光，并且持续不断低重复这个过程。
可饱和吸收镜的命名规则，SESAM的关键参数：
BATOP公司可饱和吸收镜的命名方式为：SAM-λ-A-τ-x，产品型号包含了波长、吸收率、弛豫时间和封装这四个关键参数。
• λ - laser wavelength - 波长：输出激光的波长
• A - low intensity absorption - 吸收率
• τ - absorber relaxation time - 弛豫时间：产生的激光脉宽
• x - mounting condition & price – 搭配的封装底座&价格
SESAM可饱和吸收镜的封装底座 价格
BATOP公司的可饱合吸收镜有多种封装方式，例如裸片，镀膜铜基底封装，和光纤尾端，水冷式封装等方式。
SESAM可饱和吸收镜的价格几乎不受其它参数的影响，而只能封装有关。不同的封装底座对应不同的价格，以下为SAM镜片搭配封装底座的价格，这个价格对不同的波长、吸收率和弛豫时间的产品都是全部适用的：
封装底座选项 规格 价格
无封装的SAM
x = 4.0-0 芯片尺寸：4mm×4mm，
芯片厚度：400μm，芯片背面：原切/磨砂 € 442
用于光纤耦合的无封装SAM
x = 1.0b-0
x = 1.3b-0 芯片尺寸：1x1 mm 或 1.3x1.3 mm
芯片厚度：450 µm 芯片背面：原切/磨砂 €500/€442
带有封装底座的SAM
x =g-cg-e
x =s-cs-e
x =g-cg-e
x=s-cs-e
x =g-cg-e
x =s-cs-e 芯片尺寸：4x4 mm，芯片厚度：450 µm ,
固定在12.7mm~25.4mm的Cu底座上
芯片与铜底座的焊接材料：Sn/Bi 或 胶合。
芯片正面镀有保护电解质膜 €520/€559
带有水冷封装的SAM
x =w-cw-e
x =h-ch-e 芯片尺寸：4x4 mm，芯片厚度：450 µm ,
固定在12.7mm~25.4mm的Cu底座上 ，并带有水冷装置
芯片正面镀有保护电解质膜 €650/€780
带有光纤封装的SAM
x = FC/PC / FC/APC 芯片尺寸：4mm×4mm，芯片厚度：450μm，
SAM芯片用胶粘在一个单模光纤一端，光纤接头FC/APC
标准电缆长度为1米。
Available fibers：780HP, Panda PM780-HP € 624
Heat sink for fiber coupled SAM：
用于光纤耦合SAM的散热器
Heat sink FM-1.3 芯片尺寸：1.3 mm x 1.3 mm
SAM与FC/PC接口的光纤头之间的链接可以轻松拆卸，利用这个封装， 可以在一台激光器上就实现测试多个SAM性能的目的。
当SAM表面有不幸损伤，可以轻松换芯片。 € 150
用于光纤耦合SAM的散热器
Passive heat sink PHS Passive heat sink for fiber coupled SAM. € 100
以下为SAM可饱和吸收镜的不同波长的型号参数：
800nm可饱和吸收镜的型号规格：
型号 规格
SAMps-x • λ = 800 nm • Absorptance A = 1 % • Relaxation time τ = 5 ps
SAMps-x • λ = 800 nm • Absorptance A = 4 % • Relaxation time τ = 5 ps
SAMps-x • λ = 810 nm • Absorptance A = 5 % • Relaxation time τ = 1 ps
