半导体器件热阻测试
结电压法
原理：在小电流下测定器件的压降与芯片温度的线性关系，即K系数测量，然后可在实际工作电流下的结温及热阻。
测试设备：T3ster 瞬态热阻测试仪
设备参数：温度范围：-20~180℃、电流范围：0~50A、电压范围：-10~10V
标准文件：JESD 51-1、JESD 51-14、JESD 24-3、JESD 24-4、JESD 24-6、JESD 51-50、JESD 51-51、JESD 51-52、MIL-STD-750D Method 3101.3等
适用器件：
LED、OLED、BJT、Mosfet、IGBT等二三极管半导体分立器件
