供应邦得凌高分辨率900系列负型光刻胶

  • 发布时间:2020-11-08 16:23:26,加入时间:2020年09月20日(距今1777天)
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Brthrper-NP-900系列负型光刻胶

一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的负型光刻胶

应用领域:

用于制造超厚(50-200um)和中厚(10-50um)MEMS微结构,以及普通膜厚(0.3-10u)的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条;适合i、G线,X-Ray,E-beam曝光

深圳市邦得凌触控显示技术有限公司的Brthrper-NP-900系列负型光刻胶是一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的光刻胶。

分别适用于制造超厚(50-200um)和中厚(10-50um)MEMS微结构,以及普通膜(0.3-10um)的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条;适合i、G线,X-Ray,E-beam曝光。

具有好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下,曝光均匀一致,可得到具有Profile垂直侧壁和的厚膜图形。

Brthrper-NP-900系列负型光刻胶的特性

1)厚度范围,单层涂胶厚度为 0.3um to 200 um

2)50um以上厚度光刻图型高深宽比可达:10:1

3)适用于旋涂工艺涂布,比自流平式后膜光刻胶工艺制程效率更高;

4)表面平整度高,50-100um膜厚在8吋晶元面积平均膜厚误差≤5%

5)可靠性高,后烘坚膜后可作为芯片倒封装以及chiplet封装支撑胶

应用:MEMS,激光芯片,钝化层应用LED微流倒封装以及光传感器干法蚀刻制作  

Brthrper-NP-901A光刻工艺参数:

1.涂胶 500-1500rpm/10s

2.前烘 90℃/4min

3.曝光 150mj/cm2     

4.显影 60s/27-30℃;显影液:1:99/AMPHBAL2001

5.后烘 120-200℃/30-60min

Brthrper-NP-931A光刻工艺参数:

1.涂胶 800-3000rpm/10s

2.前烘 110℃/4min

3.曝光 200mj/cm2     

4.显影 120s/27-30℃;显影液:1:99/AMPHBAL2001

5.后烘 180-230℃/30-60min

Brthrper-NP-951A光刻工艺参数:

1.涂胶 3000-5000rpm/10s

2.前烘 110℃/4min

3.曝光 200mj/cm2     

4.显影 150-180s/27-30℃;显影液:1:99/AMPHBAL2001

5.后烘 200-230℃/30-60min

成膜物化参数

序号

项目名称

指标

参考标准

1

透过率(400nm)

98%

230℃/1h

2

坚膜铅笔硬度

2H

三菱铅笔/750g

3

粘度值

8.9~1000cp

粘度仪

4

成膜均匀性

<3%

9点法

5

温度耐受范围

-20~250℃

--

6

吸水率

1.5%

100℃/2h

7

表面电阻率

1.36*1016 Ω/cm2

四探针法

8

像素坡度

23~120°

显微镜x50

9

介电常数

3.4 (>1014Ω/□

--

10

耐化学

浸泡1h膜完好

IPA、NMP、GBL、TMAH

11

百格刀测试

OK

3M胶带

12

比重

1.03g/cm3

重量杯


三、包装及贮存

包装:3.8L洁净加仑桶,加不透光包装袋

贮存:密封后于0-5摄氏度保存;贮运中避免日晒、雨淋、泄露

保质期:3个月 

四、公司介绍

深圳邦得凌

柔性和大尺寸触控方案解决专家

深圳市邦得凌触控显示技术有限公司成立于2018年11月,是一家自主研发并生产负型光刻胶(也称为负型光阻剂)的高科技企业。创始团队不仅具备卓越的光刻胶配方和树脂原材料的设计开发能力,而且掌握底层元器件的加工制造技术,具有实现先进材料和先进制造一体化的双重创新基因。

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