国产EPO-TEK H20E芯片封装电路组装用导电

案例名称：国产EPO-TEK H20E芯片封装电路组装用导电银胶

应用领域: 芯片封装、电子及PCB电路组装、光电封装等要求导电导热场景，可替代进口EPO-TEK H20E

要求：

银胶无溶剂，100%固含，具有低收缩性并具有耐高温性，短时间可耐300℃高温。除此之外，还具有高导热、高可靠性等特点

应用点图片：

解决方案：国产2010S单组份导电银胶

2010S是一款以高纯银粉为导电介质的单组份环氧树脂银胶，该导电银胶无溶剂，100%固含，因此具有低收缩性并具有耐高温性，短时间可耐300℃高温。除此之外，还具有高导热、高可靠性等特点，可应用于芯片封装、电子及PCB电路组装、光电封装等。

特点

· 单组分

· 高耐温性能，可长期服务于200℃

· 100%固含，无溶剂

· 适用期达到65h

· 优异的粘接性能

· 低吸湿性，高可靠性

· 导电性能

属性测量值测试方法

外观银灰色浆液 /

导电填料银 /

粘度(25℃,mPa · s) 17000 Brookfield,DV2T, 5rpm

比重 3.2 比重瓶

触变指数 5.0 0.5rpm/5rpm

体积电阻率(Ω · cm) 0.0002 四探针法

剪切推力， Kg, 25℃ 14.0 DAGE,(2×2mm, Ag/Au LF)

剪切推力， Kg, 260℃ 2.0 DAGE,(2×2 mm, Ag/Au LF)

玻璃转变温度(℃) 101 DMA

线性膨胀系数， ppm/℃ α1:36 α2:175

TMA

储能模量，MPa, 25℃

5200

DMA

导热系数，W/m-k 3.2 Laser Flash

吸水率，% 0.4 85℃,85%RH

热分解温度

420℃(TGA 测试，N₂ 气氛)

热失重

@200℃: 0.5 wt%

@250℃: 0.9 wt%

@300℃: 1.8 wt%

离子含量

CI": 75 ppm

Na*: NG

K: NG

NH4*: 95 ppm

固化条件

1h@150℃

可替代固化条件(不能达到性能)

45 s@175℃

5 min @150℃

15 min @120℃

使用说明

适用工艺

工作时间窗口回温

脱泡

点胶

60 h@25℃;

室温下自然回温1h

建议回温后进行脱泡处理

建议应用

半导体集成电路封装

将芯片粘接到引线框架上；兼容硅芯片和MEMS芯片，支持260℃无铅回流焊及JEDEC

一级封装要求。

支持在线快速固化，也可采用传统箱式烤箱工艺。

适用于无焊料倒装芯片封装及超细间距SMD印刷的粘合剂。

混合微电子组装

与焊料和共晶芯片粘接相比，在热性能方面具有可比性；通常热阻差异不超过 1-2ºC/瓦特。

将石英晶体振荡器（QCO）粘接到 TO 罐式引线框架的 Au 柱上。

用于GaAs芯片的微波/雷达应用，频率可达77GHz。

可与芯片粘接工艺同时固化的SMD粘接胶。

与电容和电阻SMD的Au、Ag、Ag-Pd端子兼容。

NASA批准的低挥发性粘合剂。

用于射频、微波和红外设备的电磁干扰（EMI）和射频屏蔽的粘合剂。

电子及PCB电路组装

用于扬声器/麦克风等声学应用中的电气连接。

压电元件与PCB的电气连接。PZT垫片通过H20E连接至多种电路，

包括喷墨打印头、MEMS及超声波设备。

汽车应用包括压力传感器和加速度计电路。

用于射频天线应用（如智能卡和RFID标签）中电路与铜线圈连接的导电胶（ECA）。

ECA用于将表面贴装器件（SMD）固定到薄膜开关柔性电路板上。兼容银-聚四氟乙烯（Ag-PTF）和碳石墨PCB 垫片。一种低温度“无焊料”解决方案。

太阳能光伏行业

ECA用于透明导电氧化物（TCO）与PCB垫片的电气连接。

替代铜/锡带状导线在电池间连接的焊点；一种常见的“太阳能电池串联” 粘合剂。

将III-V族半导体芯片粘接到太阳能聚光技术中使用的基板上，如碲化镉（CdTe）和砷化镓（GaAs）。

在热基板上使用铜、氧化铍（BeO）、氮化铝等材料的有效散热片。

能够通过点、阵列和书写方法以高产量进行点胶。

光电封装应用

用于光纤组件的粘合剂，采用DIP、蝴蝶或定制混合IC封装。作为ECA，它可粘接

波导、芯片键合激光二极管，并为高功率激光电路提供散热。

将红外探测器芯片粘接到PCB或TO罐式接头。

将LED芯片粘接到基板上，使用单芯片封装或阵列。

粘附于银、金和铜镀层的引线框架和PCB。

在LCD行业中，ITO与PCB的电气连接。