DD435N40K IGBT模块

  • 发布时间:2025-08-14 09:13:35,加入时间:2025年05月21日(距今85天)
  • 地址:中国»武汉»江夏:武汉市东湖开发区武大科技园武大园路7号航域D8栋
  • 公司:武汉科琪电子有限公司,用户等级:普通会员 已认证
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  • 报价:9.9/盒

核心参数​

​阻断电压​​:4000V DC(@Tvj=25℃)

​额定电流​​:435A(@150℃结温,持续负载)

​封装形式​​:50mm工业级压接式封装(工业级高可靠性设计)

​热阻​​:

结-外壳热阻(RthJC):0.125 K/W

外壳-散热器热阻(RthCH):0.04 K/W(含导热硅脂)

​认证标准​​:UL 1557、IEC 60747、RoHS合规


​技术优势​

    ​极端环境适应性​

    ​宽温运行​​:支持-55℃~175℃存储温度,结温耐受范围-50℃~125℃,适配风电、光伏等户外场景

    9

    12

    ​抗振动设计​​:通过IEC 60068-3-7振动测试,适用于高铁、船舶等高频振动环境。

    ​能效优化​

    ​低正向压降​​:VF≤1.5V@435A,较同类产品降低10%,减少系统发热。

    ​快速恢复特性​​:反向恢复时间(trr)≤200ns,适配高频开关场景。

    ​可靠性设计​

    ​压接式封装​​:无焊点接触技术,避免热应力导致的焊点开裂风险。

    ​短路保护​​:故障时自动短路,防止电弧损坏系统。


​应用场景​

​新能源领域​​:

风力发电机变流器(适配2MW以上机型)

光伏逆变器、储能系统逆变器

​工业自动化​​:

百万吨级液压机电源、超导磁体励磁系统(如核磁共振设备)

工业变频器、伺服驱动

​电力与能源​​:

中压变流器、电网储能系统

充电桩(支持高频开关,适配350kW超充桩)


​封装与认证​

​封装特性​​:

碳化硅铝(AlSiC)基板,提升导热效率

铜基板设计,支持高功率密度散热

​认证标准​​:

IEC 60747(半导体器件标准)

UL 1557(工业安全认证)

RoHS(无铅无卤素)

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