至为芯科技推出无线充专用MOS
小型化，大功率，低功耗始终是消费类产品发展的不变的追求和趋势，因此高功率密度也就成了各个芯片设计公司以及客户孜孜不倦予以突破的技术瓶颈。在PD 技术各种应用领域中MOSFET 无疑承担了主要的功率分配，也是高功率密度产品能否实现的核心器件。
在无线充电应用领域,至为芯科技推出的系列MOS，如AGM306MAP、AGM311M、AGM311MAP、AGM408M、AGM412MAP、AGM418MAP、AGM418M、AGM610M、AGM612M、AGM612MA
AGM306MAP:
BVDSS:30V
ID:34A
RDSON:6.8毫欧
