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无线充MOS找至为芯科技AGM306MAP

通用描述：

AGM306MAP结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻包，以提供极低的RDS(ON)。该装置是理想的负载开关和电池保护应用。

特点：

先进的高电池密度沟槽技术

低RDS(ON)，以尽量减少导电损耗

低门电荷，以快速切换和低热阻

应用：

MB/VGA Vcore

SMPS第二同步整流器

POL应用

BLDC电机驱动器

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