核心参数
•阻断电压:1200V DC
•额定电流:300A(@150℃结温,持续负载)
•封装形式:EconoDUAL™3半桥模块(工业级高可靠性设计)
•热阻:
•结-外壳热阻(RthJC):0.094 K/W
•外壳-散热器热阻(RthCH):0.03 K/W(含导热硅脂)
•认证标准:UL 1557、IEC 60747、RoHS合规
技术优势
FF300R12ME4搭载英飞凌第四代沟槽栅场截止IGBT4芯片,通过结构创新实现低损耗与高频特性的双重突破。其VCE(sat) 低至1.75V(典型值@300A),较前代产品降低15%,显著减少系统导通损耗;开关损耗优化后,高频场景(20kHz+)下的能量损耗降低30%,适配光伏逆变器、充电桩等对效率敏感的场景。模块集成NTC热敏电阻,实时监控结温,结合无焊点压接式封装技术,避免传统焊接工艺的热应力开裂风险,确保-40℃至150℃宽温域稳定运行。
应用场景
•新能源领域:
•光伏逆变器:作为DC-AC核心,提升转换效率至98.5%,适配1.5MW+机型
•储能系统:支持高频双向充放电,适配350kW超充桩及电网级储能
•工业自动化:
•伺服驱动:低开关损耗适配高精度运动控制,能耗降低20%
•变频器:在125℃高温下仍保持稳定输出,适配冶金/化工行业严苛环境
•智能电网:
•柔性直流输电:支持高频开关,实现低谐波畸变率(THD<3%)
•电能质量治理:快速响应电网波动,抑制电压闪变
封装与可靠性
模块采用EconoDUAL™3标准封装,兼容主流电力电子系统,支持快速安装与替换。碳化硅铝(AlSiC)基板提升导热效率,铜基板设计强化散热能力,结-外壳热阻低至0.094 K/W,确保高功率密度下的热管理优势。通过UL 1557工业安全认证及IEC 60747半导体器件标准,满足军工级可靠性要求,寿命达10万小时以上。